poluvodički elektronički elementi, elektronički elementi kojima se rad temelji na protjecanju električne struje kroz poluvodiče. Iako su istraživanja na primjeni poluvodičkih materijala u elektroničkim elementima počela i prije, glavni razvoj poluvodičkih elektroničkih elemenata započeo je 1947. izumom bipolarnoga tranzistora. Zahvaljujući svojim svojstvima (pouzdan rad, malene izmjere, malena potrošnja energije, niska cijena) poluvodički su elementi vrlo brzo u elektronici zamijenili elektronske cijevi.
Poluvodički otpornik najjednostavniji je poluvodički element. Njegova se primjena temelji na električnim svojstvima poluvodiča, pa se npr. električni otpor termistora mijenja s temperaturom, a električni otpor fotootpornika s energijom upadnoga optičkoga zračenja.
Poluvodička dioda element je s jednim pn-spojem (spojem n-tipa i p-tipa poluvodiča), pn-dioda, koja se najčešće primjenjuje zbog svojega ispravljačkoga svojstva, tj. dobroga vođenja električne struje u jednom, a lošeg u drugome smjeru. Elektrode su anoda na p-tipu i katoda na n-tipu poluvodiča. Svojstvo naponski promjenljivoga električnoga kapaciteta pn-spoja primjenjuje se u varaktoru. Korištenjem svojstva fotogeneracije nositelja naboja u pn-spoju djeluje fotodioda, koja je detektor svjetlosti. Na pretvorbi energije optičkoga zračenja u električnu energiju zasniva se i izradba sunčanih baterija. Oslobađanje energije optičkoga zračenja pri vraćanju elektrona iz vodljivog u valentni pojas u pn-spoju primjenjuje se kod svjetleće diode. Uz posebne zahtjeve na istim se načelima temelji poluvodički laser. Za izvedbu Schottkyjeve diode koristi se ispravljački spoj metal-poluvodič. Svojstva te diode slična su svojstvima pn-diode, a osnovna joj je prednost veća radna brzina u sklopnom režimu.
Bipolarni tranzistor ima dva pn-spoja i može se izraditi kao npn-struktura i pnp-struktura. Na istovrsnim se tipovima poluvodiča priključuju elektrode emiter i kolektor, a treća je elektroda baza. Tranzistor se naziva bipolarnim, jer je za njegov rad bitno kretanje obaju tipova nositelja naboja. U analognoj elektronici primjenjuje se kao pojačalo, a u digitalnoj kao sklopka upravljana ulaznim signalom. Pritom se kao ulazna elektroda najčešće koristi baza.
Poluvodički elementi izrađuju se s tri pn-spoja. Te četveroslojne pnpn-strukture nazivaju se najčešće zajedničkim imenom – tiristori. Ovisno o broju elektroda izrađuju se diodni tiristori (s dvije elektrode) i triodni tiristori (s tri elektrode), a rabe se u energetskoj elektronici kao sklopni elementi za upravljanje velikim naponima i strujama.
Unipolarni tranzistor, tranzistor s efektom polja (engl. Field Effect Transistor – FET) za rad koristi kretanje samo jedne vrste nositelja električnoga naboja. Rad FET-ova temelji se na promjeni poluvodičkog električnog otpora primjenom električnoga napona, odnosno električnoga polja. Električni otpornik se naziva kanal. Ovisno o vrsti poluvodiča u kanalu razlikuju se n-kanalni i p-kanalni FET-ovi. Najčešće imaju tri elektrode. Na krajevima kanala to su uvod (engl. Source – S) i odvod (engl. Drain – D), a električni otpor kanala mijenja se primjenom električnoga napona na upravljačkoj elektrodi (engl. Gate – G). Postoji više tipova FET-ova: spojni FET-ovi (engl. Junction FET – JFET) temelje se na pn-spoju, MESFET-ovi (engl. Metal Semiconductor FET) na ispravljačkom spoju metal-poluvodič, a MOSFET-ovi (engl. Metal Oxide Semiconductor – MOS) na strukturi metal-oksid-poluvodič.
Uz diskretne elemente, u elektronici se kao poluvodičke komponente najčešće primjenjuju integrirani sklopovi.
